TPT481L1-SO1R 时间：2025/5/10 10:59:33 阅读：7

TPT481L1-SO1R 是一款单通道、低导通电阻的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SO-8 封装。该器件具有出色的开关特性和较低的导通电阻，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。
　　这款 MOSFET 的设计优化了性能和可靠性，在高频开关应用中表现出色，并且其小尺寸封装使其在空间受限的设计中具有优势。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：2.9A
　　导通电阻（典型值）：35mΩ
　　栅极电荷：7nC
　　总电容：150pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

TPT481L1-SO1R 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够减少功率损耗并提高效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
　　3. 高浪涌电流能力，增强了器件的鲁棒性。
　　4. SO-8 封装，具备良好的散热性能。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 提供高可靠性和稳定性，适用于严苛的工作条件。

应用

TPT481L1-SO1R 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
　　3. 负载开关和电机驱动控制。
　　4. 电池保护电路和便携式电子设备中的电源管理。
　　5. 工业自动化设备中的信号切换。
　　6. LED 照明驱动电路中的功率调节。