时间：2025/4/30 18:14:00
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FQU4N60C 是一款 N 沱道 场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor 生产。该器件采用 TO-252 封装，适用于高频开关和功率转换应用。其高击穿电压和低导通电阻使其成为电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等应用的理想选择。
该 MOSFET 的特点是具有快速开关能力和低栅极电荷，这有助于提高效率并减少开关损耗。此外，其漏源极电压（Vds）高达 600V，能够承受较高的电压波动，适用于各种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压 Vds：600V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏电流 Id：4.3A
导通电阻 Rds(on)：1.4Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：750mW
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252
FQU4N60C 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（1.4Ω@Vgs=10V），降低传导损耗。
3. 快速开关能力，支持高频操作，减少能量损失。
4. 小型化 TO-252 封装设计，便于 PCB 布局和安装。
5. 工作温度范围广（-55°C 至 +150°C），适应多种极端环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
FQU4N60C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 逆变器和光伏系统中的功率转换。
5. 各种工业和消费类电子设备中的负载切换。
6. 过压保护电路中的关键组件。
FDP069N60D
IRF640
FQP17N60
STP17NF60
