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TE512S32-40LC 发布时间 时间:2025/7/21 21:39:06 查看 阅读:6

TE512S32-40LC 是一款由 Ramtron(现属于 Cypress Semiconductor)生产的非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)芯片。该器件结合了 SRAM 的高速访问特性和非易失性存储技术,能够在断电时通过内置的锂电池或超级电容保持数据完整性。该型号的存储容量为 512K 位,组织为 32K x 16 位,适用于对数据存储可靠性要求极高的工业、汽车和通信应用。

参数

容量:512Kbit
  组织结构:32K x 16
  访问时间:40ns
  工作电压:3.3V 或 5V(根据版本)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP 或 SOIC
  接口类型:并行接口
  写保护功能:硬件写保护引脚
  数据保持方式:锂电池或超级电容供电
  数据保存时间:典型值为 10 年(无外部电源)

特性

TE512S32-40LC 具有出色的性能和可靠性,其核心特性之一是高速访问能力,访问时间仅为 40ns,能够满足对实时性要求较高的系统需求。其 NVSRAM 架构确保了在系统断电时,数据不会丢失,适用于关键数据的临时存储。该芯片内置自动存储切换电路,在主电源失效时自动切换到备用电源,保障数据完整性。
  此外,TE512S32-40LC 支持无限次的读写操作,避免了传统非易失性存储器(如 EEPROM 或 Flash)因写入寿命限制而带来的可靠性问题。该器件还提供硬件写保护功能,防止在电源不稳定或系统复位期间对存储器的意外写入操作,进一步提升数据安全性。
  该芯片采用工业级封装,能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、自动化设备、医疗仪器和通信设备等应用场景。其低功耗设计在待机模式下仍能保持数据完整性,同时减少整体功耗。

应用

TE512S32-40LC 被广泛应用于需要高速存储和非易失性数据保持的场合。例如,在工业自动化系统中,用于缓存关键的运行数据和配置信息;在医疗设备中,用于保存患者数据和设备状态信息;在通信设备中,作为临时存储器保存路由表和配置信息;在智能电表和数据采集系统中,用于记录和存储关键数据,确保在断电情况下不会丢失。此外,该芯片也适用于车载电子系统、航空航天设备和嵌入式控制系统等对可靠性要求极高的领域。

替代型号

CY14B104Q-40LC, FM1608-SG, IS66WV51216FFBLL-40BLI, CY14B104G-40LC

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