类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：3.3A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：13A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

FQU2P50具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为1.4Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压可达500V，适合用于高压电源转换应用。此外，FQU2P50的栅源电压范围为±30V，具有较强的栅极驱动能力，确保快速开关操作。
　　该器件的封装采用TO-252（DPAK）形式，具有良好的散热性能，能够在高功率密度下稳定运行。FQU2P50还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的电气性能，适用于工业级和消费类电子产品。
　　在开关特性方面，FQU2P50具备较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），使其在高频开关应用中表现出色。这有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的快速恢复二极管特性，使得在开关过程中能够减少能量损耗，提升整体性能。

FQU2P50广泛应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高电压和中等电流能力的场合。常见的应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、离线式电源、LED照明驱动电路、电机控制和电池管理系统。在电源管理系统中，FQU2P50可以作为高边或低边开关，实现高效的功率管理。
　　此外，FQU2P50还可用于UPS（不间断电源）、光伏逆变器和家用电器中的功率控制模块。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，该器件也适用于工业自动化和通信设备中的电源管理模块。

FQA3P50, FQP5N50C, IRFBC40