SUD50N025-06P 是一款高性能的 N 沣道晶体管(MOSFET),主要应用于高功率和高频开关电路中。该器件采用先进的沟槽式结构,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于各种工业和汽车电子领域。
该型号为表面贴装封装,便于自动化生产和高效散热设计。其额定电压为 25V,持续电流能力高达 50A,非常适合需要高效率和高可靠性的应用环境。
最大漏源电压:25V
最大连续漏极电流:50A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:2470pF
总功耗:175W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
SUD50N025-06P 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在大电流应用中能够有效降低功耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用场景。
3. 高雪崩能量承受能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 热稳定性好,能够在极端温度环境下可靠运行。
5. 表面贴装封装,简化生产流程并提高组装效率。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电机驱动器,用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 高效 DC/DC 转换器和负载开关。
6. 各类高频功率放大器和通信设备。
SUD50N02L-06P, IRFZ44N, FDP55N20