时间：2025/8/25 7:19:46
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FQU2N50BTU_WS是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，广泛用于电源转换器、电机驱动和DC-DC转换电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：连续2.0A
漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5Ω（最大值4.5Ω）
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
FQU2N50BTU_WS具有多项优异的电气和机械特性，使其适用于多种高功率应用场景。其低导通电阻确保在高电流下具有较低的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的高栅极电荷（Qg）特性有助于降低高频开关过程中的损耗，从而提升开关性能。
此外，该MOSFET采用先进的封装技术，具有良好的热管理和散热能力，使其在高负载条件下仍能保持稳定的性能。其TO-220封装形式适用于通孔安装，便于在各种电路板上使用。
在可靠性方面，FQU2N50BTU_WS具备较高的雪崩能量承受能力，能够承受瞬时过压和过流条件，防止器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽，可在多种驱动条件下稳定工作，适应性强。
FQU2N50BTU_WS广泛应用于各种高功率电子设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器和家用电器中的开关电源电路。此外，它还可用于逆变器、充电器和工业自动化控制系统中的功率开关模块。
FQP2N50, 2N50, IRF540N
