时间：2025/7/3 23:28:43
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FDN371N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用SOT-23封装形式，适合于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景。它广泛应用于消费电子、通信设备以及便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器和电源管理电路。
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±8V
连续漏极电流Id：0.56A
导通电阻Rds(on)：1.4Ω（在Vgs=4.5V时）
功耗Pd：340mW
工作温度范围Tj：-55℃至+150℃
FDN371N具有非常低的输入电容和输出电容，从而确保了快速的开关速度。其小型化的SOT-23封装使其非常适合空间受限的设计。
此外，FDN371N的阈值电压较低，能够在较低的驱动电压下实现完全导通，这使得它非常适合电池供电的便携式设备。同时，它的高击穿电压和良好的热稳定性，保证了在各种环境下的可靠运行。
由于其出色的性能，这款MOSFET可以有效降低导通损耗并提高系统效率。
FDN371N通常用于以下应用场景：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 各类电源管理模块。
4. 信号切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的保护开关。
FDN340P, FDN358N
