FQU16N05 时间：2025/8/24 23:48:12 阅读：6

FQU16N05是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种高功率和高频开关应用。该器件由富昌电子（Foshan Qianyu Electronics Co., Ltd.）生产，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性等特点。FQU16N05通常采用TO-252（DPAK）封装，适用于各种电源管理、电机控制和DC-DC转换器等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.35Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

FQU16N05具有多项优越的电气和热性能特性，首先其导通电阻较低（最大0.35Ω），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其次，该器件的漏源耐压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。
　　此外，FQU16N05的最大连续漏极电流为16A，具备较强的电流承载能力，适合高功率开关电路。其栅极阈值电压范围为2V~4V，适配多种常见的驱动电路设计，确保可靠的导通控制。
　　采用TO-252封装，FQU16N05不仅具有良好的散热性能，还便于在PCB上安装和布局。该封装形式也广泛应用于工业级电源模块和消费类电子产品中，具有良好的兼容性和可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性，能够在异常工作条件下提供更高的稳定性和耐用性，延长设备的使用寿命。

应用

FQU16N05广泛应用于多个领域，包括但不限于电源适配器、电机驱动器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流特性使其成为开关电源（SMPS）中的理想选择，尤其适用于反激式和正激式拓扑结构。
　　在电机控制应用中，FQU16N05可作为H桥中的开关元件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。在LED照明系统中，该器件可用于恒流驱动电路，确保LED光源的稳定亮度和长寿命。
　　此外，FQU16N05也常用于家电设备（如变频空调、电磁炉等）中的功率控制模块，提供高效、稳定的电力管理解决方案。