时间：2025/12/23 11:29:10
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FQU13N06是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用小外形晶体管封装（SOT-23），广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域，主要用作开关或放大元件。
该MOSFET具有较低的导通电阻和快速的开关速度，非常适合低电压应用环境。其最大漏源电压为60V，持续漏极电流为1.1A，栅极驱动电压范围较宽，使其在便携式设备和功率管理电路中表现出色。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：1.1A
导通电阻(Rds(on))：0.75Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：430mW
结温范围：-55℃至+150℃
1. 采用SOT-23小型封装，节省PCB空间。
2. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，并减少发热。
3. 高速开关性能支持高频应用。
4. 宽范围的栅极驱动电压简化了电路设计。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性，适合长时间工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机驱动和保护电路。
5. 信号电平转换和逻辑电路驱动。
6. 各类消费电子产品中的功率管理模块。
IRLML2402
AO3400
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STP11NM60
BSS138
