时间：2025/6/25 21:24:09
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FQT5P10是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要应用于功率转换、负载开关和保护电路等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特性，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
它采用SOT-23封装形式，适合表面贴装技术(SMT)，在小型化设计中非常受欢迎。这款MOSFET的工作电压范围较广，能够承受高达30V的漏源极电压(Vds)，同时具备出色的电流承载能力。
最大漏源极电压(Vds)：30V
最大栅源极电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.6A
导通电阻(Rds(on))：0.14Ω (在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：370mW
结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
封装形式：SOT-23
1. 低导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频应用环境。
3. 小型封装(SOT-23)，节省PCB空间，便于高密度设计。
4. 高静电放电(ESD)防护能力，提升器件的可靠性和耐用性。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 负载开关，在便携式电子设备中用于管理不同功能模块的供电状态。
3. 过流保护电路，防止下游电路因过载而损坏。
4. 消费类电子产品如手机、平板电脑及可穿戴设备中的电源管理单元(PMU)。
5. 电机驱动控制中的功率级元件。
AO3400
FQP30N06L
IRLML6401
