时间：2025/8/7 3:14:06
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TISP4265M3BJR 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，专为保护电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用SOT-23-3封装，具有小型化和高效能的特点，非常适合用于对空间要求较高的便携式电子设备和通信设备。
类型：双向TVS二极管
工作电压：5.5V
击穿电压：6.1V（最小值），6.8V（典型值）
钳位电压：12.8V @ 1A
最大反向关断电压：5.5V
最大脉冲电流：1A
封装：SOT-23-3
TISP4265M3BJR 提供双向保护，适用于需要在敏感IC或电路节点上进行正负电压瞬态抑制的应用。其主要特性包括低工作电压、快速响应时间和低钳位电压，从而确保在瞬态事件中提供最佳的保护性能。
该器件采用先进的硅雪崩二极管技术制造，能够在不影响电路正常运行的情况下吸收高能量瞬态脉冲。此外，TISP4265M3BJR 的SOT-23-3封装使其非常适用于高密度PCB布局，同时具有良好的散热性能。
另一个重要特性是其低漏电流，通常小于1μA，这确保了在正常工作条件下不会对电路性能产生负面影响。此外，该TVS二极管具有高达30kV的ESD抗扰度（根据IEC 61000-4-2标准），为现代电子设备提供了可靠的保护等级。
TISP4265M3BJR 主要用于各类电子设备中的瞬态电压保护，特别是在需要高可靠性和静电防护的场合。典型应用包括USB接口保护、HDMI端口保护、RS-232通信线路保护、以太网端口保护以及便携式设备（如智能手机、平板电脑和数码相机）的I/O线路保护。
由于其双向保护功能，TISP4265M3BJR 也常用于模拟和数字信号线路的保护，例如在音频接口、传感器输入和数据总线（如I2C、SPI）中。在工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中，该器件也被广泛采用以提高系统的抗干扰能力和可靠性。
在汽车电子应用中，TISP4265M3BJR 可用于CAN总线、LIN总线和其他车载通信接口的保护，防止因车辆电源波动或静电放电导致的电路损坏。
PESD5V0S1BA, ESDA6V1W5B, SMAJ5.0A, TPD3E081
