时间：2025/8/25 5:49:22
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FQT3P20TF_SB82100是一款由安森美半导体（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，封装形式为DFN5x6，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能。该器件适用于各种高效率功率转换和开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
连续漏极电流（Id）@25°C：30A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：45nC
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
FQT3P20TF_SB82100具有低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该MOSFET具备高达200V的漏源电压能力，适用于中高压功率转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。
其DFN5x6封装设计不仅体积小巧，还提供了优异的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
此器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适应多种驱动IC的应用需求。
由于其高可靠性和出色的热管理能力，FQT3P20TF_SB82100在工业控制、汽车电子和消费类电源设备中广泛使用。
该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机控制器和负载开关等应用中。
同时适用于服务器电源、通信设备电源模块、LED驱动器和工业自动化控制系统。
在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，FQT3P20TF_SB82100也常用于功率开关电路，以提高能量转换效率。
此外，该器件在电动汽车充电模块和车载DC-DC转换器中也有广泛应用，满足高可靠性与高效率的设计需求。
FQA30N20C, FQP30N20C, IRF3710, FDB33N20
