时间：2025/8/25 1:30:29
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FQT2N20L 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的应用场景。该器件设计用于高效的功率转换和控制，适用于各种电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压 (Vds)：200V
漏极电流 (Id)：连续：2.0A
栅极-源极电压 (Vgs)：±30V
漏极-源极导通电阻 (Rds(on))：典型值1.8Ω @ Vgs = 10V
功耗 (Pd)：30W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220AB
FQT2N20L 的主要特性之一是其200V的高耐压能力，使其适用于高电压应用。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温度环境下稳定工作。此外，FQT2N20L的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其TO-220AB封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
该MOSFET还具有快速开关能力，减少了开关损耗，并提高了电源转换效率。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），能够兼容多种驱动电路设计。FQT2N20L在过载和短路条件下表现出良好的耐用性，增强了系统的可靠性和安全性。
此外，FQT2N20L具备低门极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功率消耗，并加快开关速度。该特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和PWM控制器。
FQT2N20L 常用于需要高电压和中等电流控制的功率电子设备中。典型应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、马达驱动电路、LED照明控制、电池管理系统和工业自动化设备中的功率开关。由于其高可靠性和耐用性，FQT2N20L也适用于汽车电子系统和工业控制模块中的高电压负载切换。
FQP2N20L, IRF540N, FQPF2N20L
