HV1812Y681KXMARHV是一款高性能的高压功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适合大功率应用场景。其内部结构设计优化了寄生参数,从而降低了开关损耗,提高了整体系统性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:30nC
总电容:450pF
功耗:200W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 高耐压能力(650V),能够适应各种严苛的工作环境。
2. 低导通电阻(0.18Ω),有效减少传导损耗,提升效率。
3. 快速开关特性,支持高频应用,降低开关损耗。
4. 内置ESD保护电路,增强芯片的抗静电能力。
5. 具备优异的热稳定性,在高温条件下依然保持可靠的性能。
6. 封装形式为TO-220,便于安装和散热管理。
1. 开关电源(SMPS):
- HV1812Y681KXMARHV在开关电源中作为主开关管使用,提供高效的功率转换。
2. DC-DC转换器:
- 在降压或升压型DC-DC转换器中,作为功率开关元件实现电压调节。
3. 电机驱动:
- 用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
4. 逆变器:
- 用于太阳能逆变器等设备中的功率输出级。
5. LED驱动:
- 提供稳定的电流输出以驱动高亮度LED阵列。
IRF840,
STP12NM65,
FDP16N65S,
IXFN65N120T2