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FQPF9P25 发布时间 时间:2025/5/10 14:38:37 查看 阅读:20

FQPF9P25是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术,主要适用于高频开关和功率转换应用。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器的理想选择。
  该器件采用了TO-220封装形式,具有良好的散热性能和易于安装的特点。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:70mΩ
  栅极电荷:35nC
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

FQPF9P25具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  4. 具备出色的雪崩能量能力,增强了器件的可靠性。
  5. TO-220封装设计简化了散热管理和系统集成。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

FQPF9P25广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心组件。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 各类工业设备中的负载切换。
  5. 能量回收和逆变器系统中的开关元件。
  6. 电池管理系统中的保护和控制功能。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF10
  FDP5800

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FQPF9P25参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C620 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1180pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件
  • 其它名称FQPF9P25-NDFQPF9P25FS