FQPF9P25是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术,主要适用于高频开关和功率转换应用。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器的理想选择。
该器件采用了TO-220封装形式,具有良好的散热性能和易于安装的特点。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:25A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:35nC
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
FQPF9P25具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
4. 具备出色的雪崩能量能力,增强了器件的可靠性。
5. TO-220封装设计简化了散热管理和系统集成。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
FQPF9P25广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心组件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类工业设备中的负载切换。
5. 能量回收和逆变器系统中的开关元件。
6. 电池管理系统中的保护和控制功能。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP5800