BUK9K32-100EX是一款由NXP Semiconductors制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、低损耗和高可靠性设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及工业和汽车电子系统。其主要特点是具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在高频率下工作,适用于各种开关电源应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):10.5mΩ @ Vgs=10V
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:TO-220AB
BUK9K32-100EX采用先进的TrenchMOS技术,实现了极低的导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了效率。
该器件具有高电流容量和优异的热性能,能够在高负载条件下稳定运行。
其栅极设计优化了开关性能,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
此外,该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载耐受性,提升了器件的可靠性和使用寿命。
封装采用标准TO-220AB形式,便于安装和散热管理,适用于多种电路设计和PCB布局。
由于其高耐用性和高效能,BUK9K32-100EX常用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备中。
BUK9K32-100EX主要用于电源管理领域,例如同步整流、DC-DC降压/升压转换器和负载开关控制。
在工业应用中,该MOSFET可用于电机驱动器、可编程逻辑控制器(PLC)和工业电源系统。
在汽车电子中,BUK9K32-100EX被广泛应用于车载充电系统、电池管理系统和汽车电源分配模块。
此外,它也适用于服务器电源、电信设备和UPS(不间断电源)系统,以提供高效率和高可靠性。
在消费类电子产品中,该器件可用于高功率电源适配器、LED照明驱动和智能家电的电源控制模块。
IRF3205, IPW90R150P7, BSC032N10NS5, FDP32N10