类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：9A（在Tc=25℃时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220

FQPF9N65C具有多项优异的电气和机械特性，使其在高电压和高电流应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（650V）使其适用于高电压功率转换和开关应用，确保器件在恶劣工作条件下也能保持稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为0.85Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，FQPF9N65C具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（125W），这得益于其TO-220封装设计，能够有效散热，延长器件使用寿命。栅极阈值电压范围为2V至4V，使得该器件可以与多种控制电路兼容，包括常见的微控制器或PWM控制器。
　　该器件还具备出色的雪崩能量承受能力，提高了在高能瞬态环境中的可靠性和耐用性。其封装形式为工业标准TO-220，易于安装在散热片或PCB上，适用于多种功率电子设备。

FQPF9N65C被广泛应用于各种电源管理和功率电子系统中。例如，它常用于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，以提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，实现高效的电压调节。此外，FQPF9N65C也适用于电机驱动电路、负载开关以及逆变器系统。
　　在工业自动化和控制系统中，它可用于控制高功率负载的通断，如加热元件、照明系统或电动机。由于其高可靠性和良好的热管理能力，该器件也被用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统等高性能应用场景。

FQP10N65C, FQA9N65C, IRFBC30, STF9N65M2