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DMG4466SSSL-13 发布时间 时间:2025/8/2 7:52:38 查看 阅读:33

DMG4466SSSL-13是一款由Diodes公司生产的双N沟道增强型MOSFET芯片,主要用于高效率电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关和马达控制。这款芯片采用了先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻和高性能的特点。DMG4466SSSL-13采用SOT23-6L封装,适用于便携式设备和空间受限的应用。

参数

类型:MOSFET
  通道类型:双N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):6.5A
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ(最大值,Vgs=10V)
  栅极电压(Vgs):±20V
  功耗(Pd):1.5W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装:SOT23-6L

特性

DMG4466SSSL-13的主要特性包括低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的双N沟道结构使其在需要双向开关的应用中非常有效。此外,其先进的Trench MOSFET技术确保了卓越的热性能和高电流处理能力。芯片的封装尺寸小,适用于高密度电路板设计。此外,DMG4466SSSL-13具有高可靠性和耐用性,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
  该MOSFET还具有快速开关特性,使其适用于高频应用,从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。此外,其低栅极电荷(Qg)进一步降低了开关损耗,提高了动态性能。DMG4466SSSL-13的这些特性使其成为高效电源转换和管理的理想选择。

应用

DMG4466SSSL-13广泛应用于各种电子设备中,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式电子产品中的电源管理模块。此外,它还常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和马达控制电路。由于其高效能和小尺寸,DMG4466SSSL-13也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和车身控制模块。在工业领域,它可用于自动化控制系统和电源供应器。

替代型号

Si2302DS, FDMC805, NTD14N03RT

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DMG4466SSSL-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds478.9pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.42W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMG4466SSSL-13DITR