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FQPF90N08 发布时间 时间:2025/3/24 15:51:44 查看 阅读:15

FQPF90N08是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用PDFN5*6封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适合于高频开关应用。

参数

最大漏源电压:80V
  最大连续漏极电流:90A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:84nC
  总电容:2440pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

FQPF90N08的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.3mΩ,这使得它在高电流应用场景中表现出极高的效率并减少功率损耗。
  此外,该器件具有快速开关能力,能够有效降低开关损耗,并支持高达175℃的工作温度,确保在恶劣环境下的可靠性。
  它的PDFN5*6封装方式也提供了良好的散热性能和紧凑的空间占用,非常适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。

应用

这款MOSFET主要应用于开关模式电源(SMPS)、同步整流、负载开关、电机驱动以及各种需要高电流处理能力的场合。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,FQPF90N08特别适合用于要求高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品中。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NF08
  FDPF90N08

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FQPF90N08参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压80 V
  • 闸/源击穿电压+/- 25 V
  • 漏极连续电流44 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.016 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220F
  • 下降时间160 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散62 W
  • 上升时间360 ns
  • 典型关闭延迟时间100 ns