时间：2025/12/24 0:15:24
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FQPF8N80是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提升电路的效率和可靠性。
该器件采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于各种高功率密度的设计需求。
最大漏源电压：800V
最大连续漏电流：8A
最大脉冲漏电流：32A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：960pF
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 优异的热稳定性和耐用性，确保长期可靠运行。
5. TO-220标准封装，便于安装与散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关元件。
3. 逆变器及电机驱动电路中的功率控制。
4. PFC（功率因数校正）电路中的开关元件。
5. 各种工业控制设备中的高压开关应用。
IRF840, STP8NB80Z, FQP8N80
