产品型号：FQPF6N90C/FQPF9N90C/FQPF4N90C
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　连续漏极电流（ID）：6A（FQPF6N90C）、9A（FQPF9N90C）、4A（FQPF4N90C）
　　导通电阻（RDS(on)）：通常为1.2Ω（FQPF6N90C）、0.8Ω（FQPF9N90C）、1.8Ω（FQPF4N90C）
　　栅极电荷（Qg）：约50nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

FQPF6N90C、FQPF9N90C和FQPF4N90C具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率应用场景。它们的900V漏源电压能力使其非常适合用于高电压电源转换器、马达控制器和工业自动化设备。此外，这些MOSFET具有较低的导通电阻，减少了导通损耗，提高了系统效率。其高栅极电荷特性支持快速开关，从而降低了开关损耗。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，使器件能够在高温环境下稳定工作。
　　这些MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，确保在高能量负载下的可靠性。它们的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，使其适用于多种驱动电路设计。此外，这些器件符合RoHS环保标准，适合现代电子制造需求。

这些MOSFET广泛应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业控制设备。由于其高电压和大电流能力，它们也常用于家用电器（如微波炉、洗衣机）中的功率控制电路。此外，这些MOSFET还可用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车（EV）充电设备中的功率转换模块。

FQA6N90C/FQA9N90C/FQA4N90C, FCH6N90C/FCH9N90C/FCH4N90C