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FQPF60N06 发布时间 时间:2025/8/25 5:29:24 查看 阅读:4

FQPF60N06是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理与功率转换场合。该器件采用先进的平面条形技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。FQPF60N06适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池充电器以及电源管理系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):60A
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大28mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值为65nC
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220

特性

FQPF60N06 MOSFET具有多项显著特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))特性有助于降低导通损耗,提高整体效率。在60A大电流工作条件下,RDS(on)最大为28mΩ,这在同类产品中属于较低水平,能够有效减少功率损耗和发热。此外,该器件具备较高的额定电流能力,能够在60A的漏极电流下稳定工作,满足高功率密度设计的需求。
  FQPF60N06采用了先进的平面条形工艺技术,提高了器件的热稳定性和可靠性。其TO-220封装形式具备良好的散热性能,有助于将工作过程中产生的热量快速导出,从而提高器件在高负载条件下的稳定性与寿命。同时,其最大工作温度可达175°C,具备出色的高温耐受性,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
  该MOSFET还具有较快的开关速度,栅极电荷(Qg)典型值为65nC,这使得其在高频开关应用中具有较低的开关损耗。这对于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等需要快速响应和高效率的应用场景至关重要。
  另外,FQPF60N06的栅源电压额定值为±20V,提供了良好的栅极控制能力,避免在高电压驱动条件下发生栅极击穿问题。这一特性使其在使用标准MOSFET驱动器时更加可靠,减少了外围保护电路的复杂性。

应用

FQPF60N06常用于多种电源管理及功率控制应用中。例如,在DC-DC转换器中,由于其低导通电阻和高开关速度的特性,可有效提升转换效率,减少能量损耗。在负载开关电路中,它可作为高侧或低侧开关,用于控制大电流负载的开启与关闭,具有较高的可靠性和较低的导通压降。在电机控制领域,该MOSFET可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的高效控制。
  此外,FQPF60N06还可用于电池充电器、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及各类电源管理系统中。其高电流承载能力和良好的热管理性能,使其在汽车电子、工业自动化、消费类电源设备等领域均有广泛应用。

替代型号

IRFZ44N, FDP60N06, STP60NF06, FQA60N06

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