您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FQPF34N20L

FQPF34N20L 发布时间 时间:2025/12/23 11:29:04 查看 阅读:17

FQPF34N20L 是一款 N 沫道场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)的 FQP 系列产品。该器件采用 TO-220 封装形式,适用于高电压和高电流的应用场合。这款 MOSFET 主要用于开关电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率切换的场景。
  该型号具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并减少能量损耗。

参数

最大漏源电压:200V
  最大漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
  栅极电荷:27nC
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件的可靠性。
  4. 具备短路保护功能,延长使用寿命。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  6. TO-220 封装易于安装和散热管理。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 直流-直流转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 逆变器和 UPS 系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FQP17N10
  AO3400

FQPF34N20L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FQPF34N20L资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FQPF34N20L参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 8.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 25V
  • 功率 - 最大55W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件