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FQPF2N90 发布时间 时间:2025/7/17 21:38:24 查看 阅读:5

FQPF2N90 是一款 N 沣 道绝缘栅双极晶体管(IGBT),主要用于高电压和大电流应用场合。该器件具有较低的导通压降、快速开关性能以及良好的热稳定性,适用于工业控制、电机驱动、电源转换和逆变器等领域。
  其设计采用了先进的沟槽栅技术和场截止技术,从而优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡,并提高了整体效率。

参数

最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:45A
  最大栅极-发射极电压:±20V
  典型导通压降(Vce_on):1.7V
  开关频率:最高 20kHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

FQPF2N90 的主要特性包括:
  1. 超低导通压降,能够减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 内置反并联二极管,有助于抑制感应电流,保护电路安全。
  4. 高可靠性设计,能够在恶劣环境下长时间稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接安装。
  6. 采用 TO-247 封装,便于散热处理和模块化设计。

应用

FQPF2N90 广泛应用于以下领域:
  1. 工业变频器和伺服驱动器。
  2. 新能源汽车中的电力管理系统。
  3. 太阳能逆变器和风力发电设备。
  4. 高效 DC/DC 和 AC/DC 电源转换器。
  5. 电焊机和其他需要高功率密度的工业设备。
  6. 家用电器如空调、冰箱等涉及高压直流变换的部分。

替代型号

IRGB40B12DPBF, FZ45N120E, IXGH45N120

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FQPF2N90参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 欧姆 @ 700mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件