型号：DMP4050SSS-13-F
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-5.0A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容(Ciss)：320pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：290pF @ VDS = 10V
　　开启延迟时间(td(on))：6ns
　　关闭延迟时间(td(off))：17ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装
　　供应商：Diodes Incorporated

DMP4050SSS-13-F采用先进的沟槽场效应技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在低电压、大电流的应用场景中表现出色。其RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。由于其低阈值电压特性（典型值约为-1.1V），该器件可以在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，兼容3.3V或更低逻辑电平控制，适用于现代低压数字控制系统。
　　该器件的封装为SOT-23（也称SC-70），是目前市场上最小的标准表面贴装功率MOSFET封装之一，极大节省了PCB空间，特别适合高密度布局的便携式电子产品。尽管体积小巧，但其热性能经过优化设计，能够在适当的PCB布局条件下有效散热，确保长期可靠运行。此外，DMP4050SSS-13-F具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够承受一定的瞬态过载，增强了系统的鲁棒性。
　　器件的输入电容较低（Ciss=320pF），有助于减少驱动电路的功耗，提升高频开关应用下的整体能效。同时，其快速的开关响应时间（开启延迟6ns，关闭延迟17ns）使得它适用于高速开关场合，如同步整流、DC-DC转换器中的上桥臂开关或负载开关控制。该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），进一步降低了驱动损耗，提升了动态性能。综合来看，DMP4050SSS-13-F是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，非常适合对空间和功耗有严格要求的设计。

DMP4050SSS-13-F广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理和功率开关场景。常见用途包括移动设备中的电池供电路径控制，例如在智能手机和平板电脑中作为电池与主系统之间的背靠背开关，用于防止反向电流和实现安全关断。它也常用于负载开关电路，控制外设模块的供电启停，从而实现节能和电源隔离功能。此外，该器件适用于DC-DC降压变换器的上管开关应用，尤其是在非同步整流拓扑中作为主开关元件，提供高效的能量转换。由于其良好的线性工作区特性，也可用于恒流源或线性稳压辅助电路中。
　　在通信设备中，DMP4050SSS-13-F可用于射频模块的电源控制，实现按需供电以延长待机时间。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，因其小尺寸优势，成为理想的电源开关选择。工业手持设备、医疗监测仪器等对可靠性和空间敏感的应用也广泛采用此类器件进行电源管理。此外，它还可用于热插拔电路、USB端口电源控制以及电机驱动中的低边开关应用。得益于其高可靠性和稳定性，该器件同样适用于汽车电子中的低功率控制模块，如车载信息娱乐系统的子电源域管理。总体而言，任何需要P沟道MOSFET进行低压大电流开关控制的场合，DMP4050SSS-13-F都是一个极具竞争力的选择。

DMG2302UK-7
　　FDMC8202
　　AOZ4252PI
　　Si2302DS
　　BSS84