类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：2.0A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

FQPF2N60CTU 具有优异的导通特性和高效率，适用于多种功率管理应用。其导通电阻较低，可以有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的漏极和源极之间具有较高的击穿电压能力，可承受较大的电压应力，适用于高电压应用环境。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间正常工作，确保稳定的导通状态。FQPF2N60CTU 还具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在高温环境下运行。该器件的封装形式为 TO-220AB，具有良好的散热能力，适用于各种电源管理应用。
　　在动态特性方面，FQPF2N60CTU 具有较快的开关速度，能够有效降低开关损耗。其输入电容（Ciss）约为 450pF，输出电容（Coss）约为 100pF，反向恢复时间（trr）较短，有助于提升高频开关性能。这些特性使得该 MOSFET 在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器以及负载开关等应用中表现出色。

FQPF2N60CTU 主要用于中高功率的开关应用，例如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动电路、工业自动化设备以及智能电表等。其高耐压特性也使其适用于 LED 照明驱动和电源管理系统。

FQP2N60C / IRFBC20 / STP2N60K3 / FQA2N60