类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

FQPF15N80 MOSFET具备多项高性能特性，适用于复杂和高要求的电力电子应用。首先，其高达800V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于高电压操作环境，例如开关电源和逆变器系统。其次，该器件的低导通电阻确保在导通状态下损耗较小，提高了整体系统的能效。此外，该MOSFET的封装设计提供了良好的散热性能，有助于维持稳定的工作温度，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的10V至15V栅极驱动电路，便于与常见的MOSFET驱动IC配合使用。同时，其高耐雪崩能量能力确保在瞬态过电压情况下仍能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。FQPF15N80还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　在热性能方面，TO-220封装支持有效的散热管理，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工业和车载应用环境。此外，该器件具有较高的dv/dt耐受能力，有助于减少由于电压快速变化引起的误触发风险。

FQPF15N80被广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **开关电源**：作为主开关元件，用于AC-DC或DC-DC转换器中，提供高效率的能量转换。
　　2. **电机驱动器**：在直流电机控制和步进电机驱动电路中，用于实现高效的功率控制。
　　3. **太阳能逆变器**：用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电的过程中，实现高效率和高可靠性。
　　4. **电池管理系统**：在高电压电池组（如电动汽车或储能系统）中用于电池充放电控制。
　　5. **工业自动化设备**：用于各种工业控制和自动化系统中，如伺服驱动器、变频器等。
　　6. **UPS（不间断电源）**：在UPS系统中作为关键的功率开关器件，实现对负载的持续供电。

15N80C3, FQA15N80C, FQP15N80