类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：120V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS=10V
　　最大功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

FQPF15N12 MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)最大为0.045Ω，这使得该器件非常适合用于高电流应用。
　　此外，FQPF15N12具有较高的额定电压和电流能力，其漏源击穿电压为120V，允许在较宽的电压范围内工作。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速的开关动作，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　封装方面，FQPF15N12采用TO-220封装，具有良好的热性能和机械稳定性。TO-220封装便于安装散热片，从而有效管理器件在高负载下的工作温度。
　　该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压或电感负载切换时提供额外的保护。这使得FQPF15N12在电机控制、DC-DC转换器、电源开关等应用中具有较高的可靠性。

FQPF15N12通常用于各种电源管理和功率控制应用。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC转换器和同步整流器设计。此外，它在电机驱动和H桥电路中也表现出色，常用于无刷直流电机控制和机器人系统。
　　由于其快速开关特性和良好的热性能，FQPF15N12也广泛应用于开关电源（SMPS）和电池充电器中。在这些应用中，MOSFET的高效能有助于提高整体系统效率并减少热量产生。
　　另一个常见应用是负载开关，如电源管理模块中的高侧或低侧开关。由于其高可靠性和良好的导通性能，FQPF15N12可以作为高电流负载（如LED照明、加热元件或其他电子设备）的控制开关。
　　此外，该器件还可用于逆变器设计，如太阳能逆变器或UPS（不间断电源）系统。其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在恶劣环境下稳定运行。

IRF15N120, FDPF15N12, FQA15N120