时间：2025/8/24 20:10:16
阅读：4
FQPF1060C是一款N沟道增强型功率MOSFET，由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。FQPF1060C采用先进的平面沟道技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，有助于提升系统效率并降低功耗。
类型：N沟道
最大漏极电压（Vds）：60V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：16.5mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
FQPF1060C具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件的高电流承载能力（最大连续漏极电流可达80A）使其适用于高功率输出的电源设计。
此外，FQPF1060C具有良好的热稳定性，TO-263封装具备较高的散热能力，有助于在高负载条件下维持稳定运行。
其栅极驱动电压范围宽广（支持+10V至+20V），便于与多种驱动电路兼容，提高设计灵活性。
同时，该MOSFET具备雪崩能量耐受能力，增强了在高频开关和感性负载应用中的可靠性。
最后，FQPF1060C的高耐压特性（60V）使其适用于多种中高电压电源转换系统。
FQPF1060C广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：高效DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、负载开关、服务器和电信电源模块等。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计。
此外，在工业自动化控制、汽车电子系统以及消费类高功率设备中也有广泛应用。
IRF1010E, FDP6030L, STB80N60DT, SiR100DP
