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FQP95N03L 发布时间 时间:2025/7/16 19:05:20 查看 阅读:30

FQP95N03L是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于各种电源管理和开关应用。这款器件采用了先进的平面沟槽技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。FQP95N03L采用TO-252封装形式,适用于表面贴装工艺,适合高密度电路设计。

参数

类型:N沟道
  漏极电流:95A
  漏源电压:30V
  栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:170nC(典型值)
  工作温度:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-252

特性

FQP95N03L的主要特点之一是其极低的导通电阻,这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。其4.5mΩ的Rds(on)特性使其非常适合用于需要高效率和高功率密度的电源系统。
  此外,FQP95N03L采用了先进的平面沟槽技术,具有优异的开关性能和快速的响应时间。这使得它在高频开关应用中表现出色,例如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
  该器件的高栅源电压耐受能力(±20V)增强了其在复杂电路环境中的可靠性,同时减少了栅极驱动电路的设计难度。其170nC的栅极电荷特性也进一步优化了开关损耗,有助于提高系统的整体效率。
  在热管理方面,FQP95N03L的TO-252封装设计提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。其工作温度范围从-55°C到+175°C,适应了广泛的工业环境和应用场景。
  总的来说,FQP95N03L以其低导通电阻、高开关速度、优异的热稳定性和可靠的性能,成为电源管理和高功率应用中的理想选择。

应用

FQP95N03L的应用领域非常广泛,主要集中在需要高效功率管理的电子系统中。首先,在DC-DC转换器中,FQP95N03L被广泛用作主开关器件,其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高转换效率,减少能量损耗。这对于需要高能效和小尺寸设计的便携式设备和嵌入式系统尤为重要。
  其次,在同步整流器应用中,FQP95N03L的低Rds(on)特性能够有效降低整流损耗,提高整体电源系统的效率。这种应用常见于高功率电源供应器和电池充电器中。
  此外,FQP95N03L还被广泛应用于电机控制电路,如直流无刷电机驱动和电动车控制系统。其高电流承载能力和快速响应特性,使其能够有效控制电机的转速和扭矩,提高系统的动态响应性能。
  在电源管理系统中,FQP95N03L可用于负载开关、电源分配和电池管理系统(BMS)。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
  最后,FQP95N03L也适用于逆变器和UPS(不间断电源)系统,用于实现高效的能量转换和稳定的输出电压。其优异的开关性能和热管理能力,使其在这些高功率应用中表现出色。

替代型号

IRL3713PBF, FDP95N03S, IRLU95N03L

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FQP95N03L参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流95 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0085 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 下降时间135 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散150 W
  • 上升时间250 ns
  • 典型关闭延迟时间18 ns