时间：2025/8/25 0:44:59
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FQP4N70是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高电压和高功率的应用。该器件具有较高的漏源电压（VDS）额定值，可达到700V，适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。FQP4N70采用TO-220封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：700V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：4.4A
功耗(PD)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
FQP4N70具备低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，能够实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
此外，FQP4N70具有优良的热稳定性和过载能力，能够在高温度环境下稳定工作。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高功率应用中的可靠性。
这款MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保护器件免受损坏。FQP4N70的高电压能力和较强的工作稳定性使其成为许多高压电源和功率控制电路的理想选择。
FQP4N70广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。它也可用于高电压开关电路、电池管理系统和逆变器系统等场景。由于其高耐压和高可靠性的特点，FQP4N70在需要稳定高压操作的场合表现尤为突出。
FQA4N70、FQP13N50、IRF840、STP4NK70Z
