FN21X683K500PXG 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够满足多种复杂应用的需求。
该型号通常用于需要高效能和高可靠性的场合,例如服务器电源、通信设备以及工业自动化系统中的功率转换模块。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:42A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:125nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:PQFN
FN21X683K500PXG 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其高开关速度使得该器件非常适合高频应用环境,同时具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力。
此外,它还拥有优化的栅极驱动设计,可有效降低开关损耗并增强系统的动态响应性能。器件内部集成了多种保护机制,例如过流保护和短路保护,从而提高了系统的安全性和可靠性。
由于采用了先进的封装技术,该器件具有较小的体积和较轻的重量,便于在空间受限的应用中使用。同时,其引脚布局经过精心设计,便于焊接和安装,提升了生产效率。
FN21X683K500PXG 可广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器
3. 电机驱动
4. 工业自动化控制
5. 通信设备中的 DC-DC 转换模块
6. 电动车充电设备
7. 太阳能逆变器
这些应用场景都要求元器件具备高效率、高可靠性和良好的散热性能,而 FN21X683K500PXG 正好满足这些需求。
IRFP460,
FQP50N06,
STP13NK60Z,
Si7854DP