2SA1284是一种双极性晶体管(BJT)的PNP型晶体管,广泛用于高频和低噪声放大器应用中。该晶体管采用了硅材料作为基础,具有良好的稳定性和可靠性,适合在各种电子电路中使用。2SA1284通常被用于射频(RF)放大器、中频(IF)放大器和低噪声前置放大器等应用场景。
类型:PNP晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极-基极电压(VCBO):40V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):150mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-92或类似的小信号封装
电流增益(hFE):在2kHz时,典型值为70-700(根据不同的等级分类)
过渡频率(fT):100MHz(典型值)
2SA1284晶体管具有多种显著特性,使其在高频和低噪声应用中表现出色。首先,它的高频响应特性使其非常适合用于射频和中频放大器。其过渡频率(fT)高达100MHz,这意味着晶体管在高频下仍能保持良好的增益特性。此外,2SA1284具有较低的噪声系数,这使其成为低噪声前置放大器的理想选择。
其次,2SA1284的电流增益(hFE)范围较宽,通常在70到700之间,具体取决于晶体管的等级分类。这种宽范围的增益使得设计人员可以根据具体需求选择合适的晶体管型号,以优化电路性能。此外,该晶体管的最大集电极电流为150mA,最大功耗为300mW,能够满足大多数小信号放大器的需求。
2SA1284的封装形式通常是TO-92或类似的塑料封装,这种封装形式具有良好的热稳定性和机械强度,适用于多种应用场景。此外,该晶体管的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,使其能够在极端环境条件下正常工作。
2SA1284晶体管广泛应用于各种电子设备和电路中,特别是在需要高频和低噪声性能的场合。它常用于射频放大器、中频放大器和低噪声前置放大器中,以提高信号的强度和质量。此外,该晶体管也可用于音频放大器、信号发生器和振荡器等电路中。
在通信设备中,2SA1284可以用于放大微弱的射频信号,从而提高接收机的灵敏度和性能。在测试和测量仪器中,它可用于构建高精度的放大器电路,以确保测量结果的准确性。此外,该晶体管还可用于各种工业控制和自动化设备中,作为信号处理和放大元件。
2SA1285, 2SA1812, 2SA1906