时间：2025/6/25 15:16:59
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FQP44N10F是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252表面贴装封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其耐压值为100V，持续漏极电流可达4.4A，适合用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：4.4A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：380mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-252
FQP44N10F具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，非常适合高频应用。
3. 小型表面贴装封装（TO-252），节省PCB空间。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性，能够适应恶劣的工作环境。
6. 内部二极管保护功能，防止反向电流对电路造成损坏。
7. 宽广的工作温度范围，确保在各种条件下稳定运行。
FQP44N10F广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制。
3. 负载开关和电池管理。
4. 逆变器和转换器中的功率级开关。
5. LED驱动和背光调节。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 消费电子产品中的电源管理和信号切换。
FQP44N10,
IRLZ44N,
FDP5580,
AO3400
