类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：90A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为12mΩ（典型值可能更低，取决于测试条件）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　晶体管配置：单MOSFET

SK90D12F 功率MOSFET具有多项显著特性，适用于高要求的电力电子应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为12mΩ，这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，提高了整体系统效率。对于需要高效率的DC-DC转换器、电源供应器和电机驱动器等应用，这一特性尤为重要。
　　其次，SK90D12F 的漏源电压（Vds）为100V，适用于中高压功率应用，如电动汽车（EV）充电设备、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。同时，其连续漏极电流可达90A，具备较强的电流承载能力，确保在高负载条件下稳定工作。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，优化了内部结构，提高了开关速度和导通性能。其快速的开关特性有助于减少开关损耗，在高频开关应用中表现出色。TO-247封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还确保了器件在高功率密度设计中的可靠性。
　　最后，SK90D12F 的工作温度范围为-55°C至+175°C，具备较强的环境适应能力，适用于工业级和汽车级应用。其200W的功率耗散能力也确保了在高负载环境下不会因过热而失效。

SK90D12F 适用于多种功率电子系统和模块，广泛用于需要高效、高可靠性和高功率密度的场合。典型应用包括：
　　1. **DC-DC转换器**：如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，用于电信设备、服务器电源和嵌入式系统中的电压调节。
　　2. **电源管理系统**：如笔记本电脑电源适配器、不间断电源（UPS）和储能系统中的功率开关元件。
　　3. **电机驱动器**：适用于工业自动化设备、机器人控制系统和电动工具中的H桥驱动电路。
　　4. **电池管理系统（BMS）**：用于电动汽车、电动自行车和储能系统中的充放电控制开关。
　　5. **太阳能逆变器和储能系统**：在光伏逆变器和能源管理系统中用于功率调节和能量转换。
　　6. **高频开关电源（SMPS）**：如开关电源模块、LED驱动电源和医疗设备中的电源模块。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，SK90D12F 在需要频繁开关操作和高效率转换的场合表现出色。

TK90D12U,TOK90D12F,TK90D12F,TK90D12S