时间：2025/5/30 13:15:50
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FQP3P50是一种N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景中。其设计目的是在高频开关应用中提供高效的性能和低导通损耗。
FQP3P50的特点在于其较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持高效运行。此外，它还具有较高的雪崩击穿能量能力，确保在异常工作条件下具备更高的可靠性。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：11A
导通电阻（Rds(on)）：48mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极-源极电压：±20V
总功耗：79W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
FQP3P50的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性良好，适用于高功率密度设计。
5. 封装形式坚固耐用，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
FQP3P50适用于以下应用场景：
1. 开关电源中的功率转换级。
2. 直流电机驱动电路。
3. 负载开关或保护电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. LED驱动器中的电流调节功能。
6. 各类工业设备中的功率管理模块。
7. 通信设备中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP11NM50
AO3400
