FQP3P50是一种N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景中。其设计目的是在高频开关应用中提供高效的性能和低导通损耗。
FQP3P50的特点在于其较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持高效运行。此外,它还具有较高的雪崩击穿能量能力,确保在异常工作条件下具备更高的可靠性。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:11A
导通电阻(Rds(on)):48mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极-源极电压:±20V
总功耗:79W
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
FQP3P50的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗,提高效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 较高的雪崩击穿能量,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性良好,适用于高功率密度设计。
5. 封装形式坚固耐用,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
FQP3P50适用于以下应用场景:
1. 开关电源中的功率转换级。
2. 直流电机驱动电路。
3. 负载开关或保护电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. LED驱动器中的电流调节功能。
6. 各类工业设备中的功率管理模块。
7. 通信设备中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP11NM50
AO3400