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FQP3P50 发布时间 时间:2025/5/30 13:15:50 查看 阅读:7

FQP3P50是一种N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景中。其设计目的是在高频开关应用中提供高效的性能和低导通损耗。
  FQP3P50的特点在于其较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持高效运行。此外,它还具有较高的雪崩击穿能量能力,确保在异常工作条件下具备更高的可靠性。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻(Rds(on)):48mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极-源极电压:±20V
  总功耗:79W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

FQP3P50的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗,提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 较高的雪崩击穿能量,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 热稳定性良好,适用于高功率密度设计。
  5. 封装形式坚固耐用,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。

应用

FQP3P50适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的功率转换级。
  2. 直流电机驱动电路。
  3. 负载开关或保护电路。
  4. 电池管理系统中的充放电控制。
  5. LED驱动器中的电流调节功能。
  6. 各类工业设备中的功率管理模块。
  7. 通信设备中的电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP11NM50
  AO3400

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FQP3P50参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.9 欧姆 @ 1.35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大85W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件