时间：2025/6/29 4:46:50
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FQP34N20是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的场合。
FQP34N20具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其额定电压为200V，可满足多种高压应用场景的需求。
最大漏源电压：200V
最大漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
栅极阈值电压：2V至4V
功耗：160W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 具备优秀的热稳定性和电气性能。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流电机驱动
3. 逆变器与转换器
4. 工业控制设备
5. LED照明驱动电路
6. 电池充电保护电路
7. 各种高压开关应用
IRFZ44N
STP17NF06
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