类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：33A
　　漏源极击穿电压（VDS）：150V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

FQP33N15 具备多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先，其低导通电阻 RDS(on) 为 0.045Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率并减少了散热需求。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 33A，能够承受较高的电流负载，适用于需要高电流输出的电源系统。此外，漏源极击穿电压为 150V，具备较高的电压耐受能力，适用于中高压电源转换应用。
　　该器件的栅源极电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时具备较强的抗干扰能力。FQP33N15 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升系统的响应速度。由于其采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，FQP33N15 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应性强，适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。其最大功耗为 200W，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。

FQP33N15 适用于多种功率电子系统，特别是在需要高电流和中高压操作的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和车身控制系统等。其优异的导通特性和热稳定性使其成为高效率电源转换和负载管理的理想选择。

IRF1404, FDP33N15, STP34NF15