时间：2025/5/22 0:23:58
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FQP32N20C 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 FQ 系列。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。FQP32N20C 的封装形式通常为 TO-220 和 TO-220FP，能够承受较高的电流和电压，并具备良好的热性能。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：15.8A
导通电阻：0.17Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：19nC
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQP32N20C 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可以降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 内置保护功能，如过温保护和短路保护。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 可靠的电气性能，能够在严苛环境下运行。
FQP32N20C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和适配器设计。
2. DC-DC 转换器中的同步整流电路。
3. 各种类型的电机驱动器，包括步进电机和无刷直流电机。
4. 电池充电器和保护电路。
5. 工业控制设备中的负载开关。
6. 通信电源系统中的功率转换模块。
IRF540N, STP36NF06L, FDP120N10AS
