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FQP27P06_SW82127 发布时间 时间:2025/8/25 5:42:39 查看 阅读:3

FQP27P06 是一款由 Fairchild(飞兆半导体)生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。该器件采用 TO-252 封装(也称为 DPAK),具有良好的热性能和电流承载能力。FQP27P06 的设计旨在提供高效率、低导通电阻和快速开关性能,适用于中高功率应用。SW82127 可能是 FQP27P06 的替代型号或功能对等型号,具体需结合实际参数和应用场景进行验证。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):-27A
  最大漏源电压(VDS):-60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):@ VGS = 10V:最大 47mΩ;@ VGS = 4.5V:最大 60mΩ
  功耗(PD):83W
  封装:TO-252(DPAK)

特性

FQP27P06 具有低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其 P 沟道结构使其在高端开关应用中具有优势,无需复杂的驱动电路即可实现电源控制。该 MOSFET 支持较高的栅极电压(最高 ±20V),提高了其在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。此外,FQP27P06 的 TO-252 封装提供了良好的散热性能,能够承受较高的连续工作电流。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高转换效率,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时,其耐用性和高可靠性使其在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中广泛应用。
  对于 SW82127,目前尚无公开权威数据可供参考,可能为国产替代型号或定制型号。若用于替代 FQP27P06,需验证其电气参数、封装兼容性及工作温度范围是否满足设计要求。

应用

FQP27P06 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器、电池供电设备以及汽车电子系统中的功率开关。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于同步整流、高端电源开关和电源分配系统。此外,该器件也适用于服务器、笔记本电脑、电源适配器等需要高效功率管理的场合。

替代型号

Si4435BDY, IRFR9024, FDS4410, SW82127

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FQP27P06_SW82127参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 13.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大120W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 成形引线
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件