MRF19090S 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的高功率射频(RF)晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管系列。该器件专为高性能射频功率放大器应用设计,广泛用于无线通信基础设施、广播、工业和医疗设备等领域。MRF19090S 以其高增益、高效率和出色的线性度而闻名,适用于多频段和宽带应用。
类型:LDMOS 射频功率晶体管
最大漏极电压:65V
最大漏极电流:连续工作模式下 90A
输出功率:在 900MHz 频段下可达 900W
增益:27dB(典型值)
漏极效率:超过 65%
工作频率范围:50MHz 至 1000MHz
封装形式:气腔陶瓷封装(Flanged Ceramic Package)
MRF19090S 的一大特点是其卓越的功率处理能力,这使其能够在高功率密度环境下稳定运行。该器件采用了先进的 LDMOS 技术,具有高增益和低失真特性,非常适合用于需要高线性度的现代通信系统。
此外,MRF19090S 具有优异的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。其宽频率响应使其适用于多频段操作,从而减少了系统设计的复杂性,并提高了设计的灵活性。
该晶体管还具备良好的抗失真能力,使其在高效率工作模式下仍能保持较低的信号失真,适用于数字通信系统中的高阶调制方案。
其气腔陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了器件的机械强度和可靠性,适用于恶劣的工业环境。
MRF19090S 主要用于无线通信基站、广播发射机、工业加热设备、医疗射频设备以及各种高性能射频功率放大器应用。由于其宽频带特性,它也适用于多频段通信系统,如 GSM、CDMA、LTE 和其他无线基础设施应用。
此外,该器件还广泛用于射频测试设备和大功率射频放大器系统,适用于需要高输出功率和高可靠性的场景。
MRF19060S、MRF19070S、MRFE6VP61K25H、LDMOS 晶体管系列中的其他型号