FQP20N60 时间：2025/12/29 14:05:22 阅读：13

FQP20N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产。该器件专为高电压和高功率应用设计，常用于电源、电机控制、逆变器以及开关电源等场合。其额定电压为600V，最大漏极电流为19A（25°C时为7A），采用TO-220封装形式，具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：19A（Tc=25°C时为7A）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　漏极功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQP20N60具有多个优良的电气和物理特性，使其适用于高电压和高功率环境。首先，其高达600V的漏极-源极击穿电压（Vds）使其适用于高压系统，如电源和逆变器设计。其次，最大漏极电流为19A，能够在高负载条件下提供稳定的电流传输。此外，该MOSFET的栅极-源极电压范围为±30V，使其在驱动电路中具有较高的耐压能力，避免栅极过压损坏。
　　该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业级应用。FQP20N60还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用，能够有效降低开关损耗并提高响应速度。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗冲击能力，适合在恶劣环境中使用。

应用

FQP20N60广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、照明镇流器以及工业控制设备。由于其高压和高电流能力，该MOSFET非常适合用于功率因数校正（PFC）电路和高功率LED照明系统。此外，它还可用于电动车充电器、太阳能逆变器以及其他需要高效能功率管理的场合。