FQP19N20和IRF640是两款常见的功率MOSFET晶体管,通常用于高功率和高电压的电子电路中。FQP19N20是一款由Fairchild Semiconductor(现为onsemi的一部分)制造的N沟道增强型MOSFET,适用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制应用。IRF640是由Infineon Technologies(原International Rectifier)制造的类似型号,具有相近的电气特性和应用范围。这两款MOSFET都具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力,适合用于中高功率的电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):19A(FQP19N20)、18A(IRF640)
最大漏-源电压(VDS):200V(FQP19N20)、200V(IRF640)
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约0.17Ω(FQP19N20)、约0.18Ω(IRF640)
封装形式:TO-220、D2PAK(FQP19N20);TO-220(IRF640)
工作温度范围:-55°C至+150°C
FQP19N20和IRF640都具有快速开关特性,低导通电阻以及高耐压能力,适合用于高效率的功率转换电路。它们的封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于散热和安装。这些MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下稳定工作。此外,它们的栅极驱动要求较低,易于与常见的驱动电路配合使用。
FQP19N20采用了先进的平面技术,具有良好的电流稳定性和低导通损耗。其D2PAK封装形式支持表面贴装技术,适用于自动化生产。IRF640则以其成熟的制造工艺和广泛的应用基础而闻名,具有良好的市场认可度和兼容性。其TO-220封装适合插入式安装,广泛用于各种工业和消费类电子设备中。
这两款MOSFET常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。它们也可用于音频功率放大器和高频电源转换器中,提供高效率和稳定性能。
FQP19N20的替代型号包括FQA19N20、IRF640;IRF640的替代型号包括FQP19N20、STP20N20、IRF640N