类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装/外壳：TO-252 (D-Pak)
　　最大漏源电压(Vdss)：47V
　　最大连续漏极电流(Id)：21A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流(Idm)：84A
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：23mΩ @ Vgs=10V, Id=10.5A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V, Id=10.5A
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：1960pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：520pF @ Vds=25V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ Vds=25V
　　栅极电荷(Qg)：47nC @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：100W @ 25°C
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　极性极性：N-Channel

CIL21N47NMNE具备优异的电气特性和热性能，其核心优势在于低导通电阻Rds(on)，这显著降低了在高电流应用下的导通损耗，提升了整体能效。该器件在Vgs=10V时典型Rds(on)仅为23mΩ，而在标准逻辑电平4.5V下也仅达到30mΩ，表明其兼容主流驱动IC输出，并可在低压控制信号下实现高效导通。这种低Rds(on)特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，较低的Rds(on)还能减少发热，降低对散热设计的要求，从而简化系统布局。
　　该MOSFET采用TO-252（D-Pak）封装，具有良好的热传导路径，允许通过PCB上的铜箔进行有效散热，适合中等功率密度的设计需求。其高达100W的总功耗能力进一步增强了热处理能力。此外，CIL21N47NMNE拥有较低的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于提高开关电源的工作频率而不增加驱动电路负担，适用于高效率DC-DC变换器、同步整流器和电机驱动电路。
　　器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，增强了系统鲁棒性。宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了其在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了开关过程中的交叉导通风险，提升了整体系统的可靠性。综合来看，CIL21N47NMNE是一款兼顾性能、效率与可靠性的中压N沟道MOSFET，适用于多种现代电力电子拓扑结构。

CIL21N47NMNE广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。常见用途包括直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）设计中作为主开关或同步整流开关使用，凭借其低Rds(on)和快速开关特性可显著提升转换效率。该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、LED驱动电源以及便携式设备的电源管理单元中，用于实现负载开关、电源路径控制或反接保护功能。
　　在电机驱动领域，CIL21N47NMNE可用于H桥或半桥拓扑结构中作为功率开关元件，驱动小型直流电机或步进电机，适用于家用电器、办公自动化设备和轻型工业控制系统。此外，由于其具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，该MOSFET也可用于UPS（不间断电源）、逆变器和AC-DC适配器中的次级侧同步整流电路，替代传统肖特基二极管以降低压降损耗。
　　在工业控制方面，CIL21N47NMNE可用于PLC（可编程逻辑控制器）输出模块中的固态继电器替代方案，提供无触点开关控制，延长使用寿命并减少维护成本。同时，其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于大规模贴片生产线，满足现代电子产品对小型化、高集成度的需求。总之，该器件适用于所有要求高效率、高可靠性和紧凑设计的中等功率开关应用场合。

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　　 "IRFZ44N",
　　 "FQP27P06",
　　 "STP20NF10L",
　　 "SI4404DY",
　　 "AO3407"
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