FQP17N40是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,具有较高的电压和电流承受能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率转换领域。
FQP17N40的主要特点是其高耐压能力和低导通电阻,能够在高频开关应用中提供高效性能。它还具备较低的栅极电荷和输入电容,有助于减少开关损耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压:400V
连续漏极电流:17A
导通电阻:0.3Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1680pF
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃至+150℃
FQP17N40属于高性能MOSFET系列,具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:能够承受高达400V的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 大电流承载能力:支持高达17A的连续漏极电流,适合大功率设备。
3. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为0.3Ω,有助于降低传导损耗。
4. 快速开关速度:得益于较低的栅极电荷和输入电容,FQP17N40可以实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
5. 宽温度范围:能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内稳定运行,适应各种恶劣环境。
6. 稳定性强:具备良好的热稳定性和电气稳定性,确保长期可靠运行。
FQP17N40因其出色的性能,被广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电机驱动:控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中作为功率开关元件。
4. 电池充电器:用于高效电池充电电路的设计。
5. 电子负载:模拟负载以测试电源和其他电子设备。
6. 电磁阀驱动:用于工业自动化和汽车电子中的电磁阀控制。
IRFZ44N, STP17NF06, FDP15N40