时间：2025/9/15 3:23:06
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PUMH1 是由东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关等功率电子设备中。该器件采用高性能的U-MOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和快速开关特性，适用于高频率工作环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（典型值，VGS=10V）
耗散功率（PD）：130W
封装形式：TO-220SM(W)
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PUMH1 功率MOSFET采用了先进的U-MOS VII技术，显著降低了导通电阻并提高了开关性能。其低Rds(on)特性可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力和强电流承载能力，使其适用于高负载和高频率应用。此外，PUMH1具有优异的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
PUMH1的封装形式为TO-220SM(W)，该封装具备良好的散热性能和机械强度，适合工业级应用。器件还具有快速的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频率DC-DC转换器和同步整流器等应用。此外，PUMH1的栅极设计优化了输入电容和反向恢复特性，进一步提升了整体性能。
PUMH1 主要应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。其高效率和快速开关特性也使其适用于通信设备、工业自动化系统以及新能源设备，如太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。
TKA100N30K1,TMDH1
