类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：250V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω（最大值，ID=7.5A，VGS=10V）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

FQP15N25C具有多项优良特性，首先，其低导通电阻能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏极-源极击穿电压为250V，适用于中高功率电源应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平进行控制，简化了驱动电路的设计。
　　在热性能方面，FQP15N25C采用TO-220封装，具有良好的散热能力，可在较高功率下保持稳定运行。同时，其内部结构设计优化，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件具备较高的短时过载能力，可在突发负载情况下提供可靠的性能表现。
　　该MOSFET还具有较高的抗雪崩能力，能够在电压瞬变或感性负载切换过程中提供更强的保护。同时，其具备较高的抗干扰能力，适用于工业环境下的复杂电磁条件。此外，该器件的可靠性高，适合长期运行于高负载状态下的电源系统、逆变器和电机驱动电路中。

FQP15N25C广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、电池管理系统、LED照明驱动、工业自动化控制设备以及各种高电压、高功率的电源管理模块。
　　在开关电源中，FQP15N25C可作为主开关器件，用于高效能的功率转换，其低导通电阻和高耐压特性有助于提升电源效率并减少散热需求。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压调节。
　　在电机控制方面，FQP15N25C适用于H桥驱动电路，支持直流电机或步进电机的双向控制，其高电流承载能力和良好的热稳定性确保电机在高负载条件下稳定运行。此外，在逆变器系统中，该器件可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等应用。
　　由于其优异的电气性能和稳定性，FQP15N25C也被广泛用于LED驱动电源，确保高亮度LED模块在长时间运行中的可靠性。同时，该器件还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，适用于电动车、储能系统和便携式电子设备的电源管理模块。

IRFZ44N, FDPF15N25C, FQA15N25C, STP15NF25, 2SK2143