时间：2025/12/29 15:26:37
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FQP14N80C 是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电压和高功率应用，具备优良的导通性能和快速开关特性，适用于多种工业、电源和电机控制场合。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：14A（@25℃）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
FQP14N80C 的主要特性包括其高电压耐受能力，漏源电压可达到800V，这使得它适用于高压环境下的功率转换和控制任务。此外，该MOSFET的连续漏极电流在常温下可达14A，表明其具备良好的导通能力。该器件的栅源电压范围为±30V，这为其提供了更宽的驱动兼容性，尤其是在使用高电压驱动电路时。FQP14N80C 的最大功耗为200W，因此在高功率应用场景中需要适当的散热措施，例如加装散热片或强制风冷。
该MOSFET采用TO-220封装，这是一种广泛使用的标准封装形式，便于安装和更换，并且具有较好的热传导性能。FQP14N80C 的工作温度范围从-55℃到+150℃，适应了大多数工业环境下的运行需求。这种MOSFET还具备较低的导通电阻和快速开关能力，有助于降低开关损耗并提高系统效率，适用于需要高频开关操作的应用场景。
FQP14N80C 广泛应用于电源转换设备，如AC/DC电源、DC/DC转换器和开关电源（SMPS）中，作为主开关器件使用。此外，它也适用于电机驱动和控制电路、照明系统（如HID灯镇流器）、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电压和高电流处理能力，该器件在需要高效能和高可靠性的电力电子系统中表现尤为突出。
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