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FQP13N60C 发布时间 时间:2025/6/28 15:16:47 查看 阅读:10

FQP13N60C是一款由Fairchild(现为Onsemi安森美)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域。其耐压能力高达600V,适用于高电压环境下的开关和负载控制应用。
  FQP13N60C的特点在于较低的导通电阻以及优秀的开关性能,能够有效减少功率损耗并提高效率。同时,它具有雪崩能量承受能力和快速恢复特性,使其在恶劣的工作条件下也能保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:600V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻(Rds(on)):4.5Ω(典型值,Vgs=10V时)
  输入电容:740pF
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

FQP13N60C具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力(600V),适用于各种高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻(Rds(on) 4.5Ω),有助于降低传导损耗。
  3. 出色的雪崩能量承受能力,增强了器件在过载或短路情况下的可靠性。
  4. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频开关电路。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 可靠性高,能够在高温环境下长时间工作。
  7. 内部设计优化以改善热性能,进一步提升整体效率。

应用

FQP13N60C可应用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节。
  3. 电机驱动电路中的开关器件。
  4. 逆变器中实现直流到交流的转换。
  5. 各种工业自动化设备中的负载控制。
  6. 不间断电源(UPS)系统中的关键组件。
  7. 其他需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

FQP13N60,
  FQA13N60,
  FQA13N60C,
  IRF840,
  STP12NM60,
  FDS8942

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