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STP14NF10 发布时间 时间:2025/5/29 0:44:44 查看 阅读:9

STP14NF10是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景中。
  STP14NF10的设计目标是在低电压条件下提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时保持良好的开关性能。其额定电压为100V,连续漏极电流可达14A,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:14A
  栅源开启电压:2.1V~4.5V
  导通电阻:75mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

STP14NF10具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为75mΩ(典型值),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高电流能力:连续漏极电流高达14A,能够满足大功率应用的需求。
  3. 快速开关速度:优化的结构设计使其具备较低的输入电容和输出电容,从而实现快速的开关动作。
  4. 增强的热稳定性:STP14NF10采用了先进的制造工艺,确保了在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  5. 可靠性高:符合工业级标准,适合长时间运行的各种应用场景。

应用

STP14NF10适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器以及各种AC-DC转换器。
  2. DC-DC转换器:用于电压调节和稳压电路。
  3. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的运行。
  4. 负载开关:实现负载的快速通断控制。
  5. 电池保护电路:防止过流或短路情况发生。
  6. 其他需要高效功率切换的应用IRFZ44N
  AO3400
  FDP14N10S
  STP16NF10L

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STP14NF10参数

  • 其它有关文件STP14NF10 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds460pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-7506-5STP14NF10-ND